Разделы сайта

Поверочный расчет каскадов станции

б) базового - 2,6 нГн;

емкость выводов относительно корпуса:

а) эмиттер-корпус - 1,84 пФ;

б) коллектор-корпус - 1,53 пФ;

в) база-корпус - 0,96 пФ.

Предельно допустимые эксплуатационные данные:

постоянное напряжение коллектор-эмиттер при равно ;

постоянное напряжение коллектор-база ;

постоянный ток коллектор-база

средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме .

На рисунке 25 представлена зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты.

Рисунок 25 - Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты

Расчет рабочего тока коллектора транзистора 1VT6:

где - напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения тока коллектора.

Определение тока базы транзистора 1VT6:

Величина резистора 1R20 находится из мощности, которую необходимо приложить к базе транзистора 1VT6:

Находим:

Выбираем резистор по номиналу 1R20=680 Ом.

Принимаем коэффициент передачи согласующей цепи 1С21, 1L9, 1L10 равным Крс=0,9, находим мощность на коллекторе 1VT5.

Определяем ток коллектора транзистора VT5:

Определяем ток базы:

Расчет резистора

Выбираем 1R21=2,5 кОм.

Расчет резистора

Выбираем 1R21=18 Ом.

На транзисторе 1VT7 максимально рассеиваемая мощность

Выбираем транзистор типа 2Т925Б.

Резистор 1R23 принимаем равным 1R21.

Расчет резонансных систем УМ.

Полосовой фильтр 1L7, С11 транзистора 1VT5 настраивается на среднюю генерируемую частоту . На резонансной частоте имеет чисто активное сопротивление, близкое к нулю .

Перейти на страницу: 5 6 7 8 9 10 11

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...