б) базового - 2,6 нГн;
емкость выводов относительно корпуса:
а) эмиттер-корпус - 1,84 пФ;
б) коллектор-корпус - 1,53 пФ;
в) база-корпус - 0,96 пФ.
Предельно допустимые эксплуатационные данные:
постоянное напряжение коллектор-эмиттер при равно
;
постоянное напряжение коллектор-база ;
постоянный ток коллектор-база
средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме .
На рисунке 25 представлена зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты.
Рисунок 25 - Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты
Расчет рабочего тока коллектора транзистора 1VT6:
,
где - напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения тока коллектора.
Определение тока базы транзистора 1VT6:
Величина резистора 1R20 находится из мощности, которую необходимо приложить к базе транзистора 1VT6:
Находим:
Выбираем резистор по номиналу 1R20=680 Ом.
Принимаем коэффициент передачи согласующей цепи 1С21, 1L9, 1L10 равным Крс=0,9, находим мощность на коллекторе 1VT5.
,
Определяем ток коллектора транзистора VT5:
,
Определяем ток базы:
,
,
Расчет резистора
.
Выбираем 1R21=2,5 кОм.
Расчет резистора
Выбираем 1R21=18 Ом.
На транзисторе 1VT7 максимально рассеиваемая мощность
.
Выбираем транзистор типа 2Т925Б.
Резистор 1R23 принимаем равным 1R21.
Расчет резонансных систем УМ.
Полосовой фильтр 1L7, С11 транзистора 1VT5 настраивается на среднюю генерируемую частоту . На резонансной частоте имеет чисто активное сопротивление, близкое к нулю
.
,
,
,
,
.
Самое читаемое:
Разработка микроконтроллерного устройства стабилизации температуры
Эффективная организация контроля информации приобретает всё большее
практическое значение, прежде всего как условие успешной практической
деятельности людей. Объем информации, необходимой для нормального
функционирования современного общества, растёт из года в год. На сегодняшний
день складывается ситуация, в которой наряду с самой ...