Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
Очень малые емкости Cies, Coes, Cres
Исключено защелкивание
Быстродействующие диоды, выполненные по запатентованной технологии CAL (управляемый осевой ресурс), с плавным восстановлением
Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)
В таблице 1.6 указаны рабочие характеристики IGBT транзистора
Таблица 4.6 Рабочие характеристики SKM75GB063D
|
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
мин. |
ном. |
макс. |
Единица измерения |
|
IGBT-транзистор | ||||||
|
VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 1 мА |
4,5 |
5,5 |
6,5 |
В |
|
ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C |
0,1 |
0,3 |
мА | |
|
VCE(TO) |
постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
Tj = 25 (125) °C |
1,05 (1) |
В | ||
|
rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C |
14 (18,7) |
мОм | ||
|
VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
ICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла |
2,1 (2,4) |
2,5 (2,8) |
В | |
|
Cies |
входная емкость |
при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц |
4,2 |
нФ | ||
|
Coes |
выходная емкость |
0,5 |
нФ | |||
|
Cres |
обратная переходная емкость |
0,3 |
нФ | |||
|
LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
30 |
нГн | |||
|
RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C |
0,75 (1) |
мОм | ||
|
td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В, ICnom = 75 A |
60 |
нс | ||
|
tr |
время нарастания |
RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C |
50 |
нс | ||
|
td(off) |
длительность задержки выключения |
VGE = ± 15В |
350 |
нс | ||
|
tf |
время спада |
35 |
нс | |||
|
Eon (Eoff) |
рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) |
3 (2,5) |
мДж | |||
Самое читаемое:
Испытания схем увязки САУТ-ЦМ и МПЦ в лаборатории
Главной задачей решаемой на железнодорожном транспорте всеми его
службами, хозяйствами, техническими и организационными мероприятиями является
обеспечение непрерывного, нормального (штатного) протекания основного
технологического процесса (ТП) движения поездов. Движение поездов - это
комплексный технологический процесс, состоящий из ...