Разделы сайта

Выбор элементной базы

/D=1-инкремент адреса при вводе символа (0-декремент)

S=1-сдвиг всего изображения при вводе символа

S/C=1/0-изображение сдвигается/нет R/L=1/0-сдвиг вправо/влево

D=1-включение дисплея C=1-включение курсора

B=1-мерцание символа, под которым курсор

Рисунок 4.2.4 двухстрочный ЖКИ HDD44780.

DB0-DB7 -входы данных;

R/W -чтение/запись;

V0 -яркость;

E -разрешение;

RS- данные/команды.

В качестве датчиков для выбираем датчики на основе эффекта Холла GT101DC фирмы Honeywell. Внешний вид GT101DC изображен на рисунке 4.2.5, а функциональная схема изображена на рисунке 4.2.6

Рисунок 4.2.5. Внешний вид GT101DC

Рисунок 4.2.6. Функциональная схема GT101DC

Назначение внешних выводов GT101DC представлено в таблице 4.5.

Таблица 4.5. Назначение внешних выводов GT101DC

Вывод	Обозначение	Назначение вывода
1	VDD	Напряжение питания (+5В)
3	OUT	Выходной сигнал
2	VSS	Общий вывод

101DC имеет следующие технические характеристики:

Тип выходного сигнала:	пороговый
Тип чувствительного элемента:	элемент Холла
Наличие встроенного магнита:	есть
Тип чувствительности к полю:	встроенный магнит
Индукция включения при 25оС, Гаусс:	-
Индукция выключения при 25оС, Гаусс:	-
Максимальная чувствительность, мВ/Гаусс:	-
Макс рабочая частота, кГц:	100
Время нарастания сигнала, мкс:	15
Мин напряжение питания, В:	4.5
Макс напряжение питания, В:	24
Макс выходной ток, мА:	20
Температурный диапазон, гр. С:	-40…150
Корпус:	1GT1
Производитель:	Honeywell Inc.

Принцип действия датчика заключается в наведении разности потенциалов на границах полупроводниковой пластины с током, во внешнем магнитном поле. Усиленная датчиком разность потенциалов прямо пропорциональна напряжённости магнитного поля в области его установки. Таким образом, при размещении датчика вблизи вращающейся детали на выходе будет генерироваться цифровой сигнал.

Для обеспечения ШИМ выбираем IGBT транзистор SKM75GB063D фирмы Semicon. Данный IGBT имеет следующие отличительные особенности:канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT, непробиваемый биполярный транзистор с изолированным затвором)

Малый хвостовой ток с малой температурной зависимостью

Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение при закорачивании затвора с эмиттером

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6

Самое читаемое:

Оптимизация процесса напыления материала в магнетронной системе распыления
Оптимизировать процесс напыления материала в магнетронной системе распыления: определить расстояние от поверхности мишени, на котором можно получить заданную толщину напыляемой пленки с требуемой неравномерностью при максимально возможной скорости напыления. Таблица 1. Вариант задания № варианта ...