Разделы сайта

• Главная
• Исследования и анализ современных технологий
• IP-телефония
• Антенно-фидерные устройства
• Виртуальное построение рабочей локальной сети
• Влияние электромагнитного поля на подземную проволочную антенну
• Микрополосковая антенная решетка
• Система экологического мониторинга вредных газовых выбросов
• Организация процесса производства цифрового телевиденья

Описание выбора и расчета схемы первого канала измерения.

Тензорезисторы, размещенные на мембране ИПД включены по схеме моста Уинстона с разорванной нижней диагональю. Питание тензомоста осуществляется напряжением, линейно возрастающим от температуры кристалла, что обеспечивает компенсацию измерения выходного сигнала температуры.

Тензомост образован диффузионными резисторами R4, R5, R7, R8, расположенными на одном кристалле ИПД с транзистором VT1 и резисторами R2, R3. Двухполюсник, выполненный на транзисторе VT1 и резисторах R2, R3 создает напряжение питания тензомоста, линейно увеличивающегося от температуры. Номиналы резисторов R2, R3 подобраны таким образом, чтобы температурный коэффициент напряжения питания тензомоста был равен температурному коэффициету тензочувствительности кремниевых диффузионных резисторов.

Рис. 4. Нумерация вводов и выводов датчика

Резисторы R1, R6, R9, R10 включены в разрыв нижней диагонали тензомоста и служат для компенсации температурной зависимости U0 и для установки U0=±0,2мВ.

Выходной сигнал преобразователя при давлении, равному нижнему пределу измерения U0, обычно не превышает ±0,2мВ.

Самое читаемое:

Исследование электромагнитной обстановки в помещении при воздействии сверхкоротких электромагнитных импульсов на электронные средства
Задача борьбы с электромагнитными воздействиями возникла почти одновременно с электроникой, но в то время самостоятельного значения не имела и особых трудностей для своего решения не представляла. Трудности появились с увеличением количества технических средств, в частности электронных средств (ЭС), усложнением и ...