Разделы сайта

• Главная
• Исследования и анализ современных технологий
• IP-телефония
• Антенно-фидерные устройства
• Виртуальное построение рабочей локальной сети
• Влияние электромагнитного поля на подземную проволочную антенну
• Микрополосковая антенная решетка
• Система экологического мониторинга вредных газовых выбросов
• Организация процесса производства цифрового телевиденья

Основы расчета транзисторного автогенератора

Транзисторные автогенераторы чаще всего выполняются по схеме емкостной и реже - индуктивной трехточки. Сравнительный анализ стабильности частоты указанных схем АГ показывает, что лучшими характеристиками обладает схема емкостной трехточки. Преимущества этой схемы особенно проявляются на высоких частотах, где необходимо считаться с инерционными свойствами транзистора (), так как вней полное фазирование может быть достигнуто за счет взаимной компенсации фазовых углов крутизны и коэффициента обратной связи . В этом случае транзистор работает на настроенную нагрузку () и, следовательно, отдает большую мощность , а частота генерируемых колебаний практически совпадает с собственной частотой контура, где его фазовая характеристика наиболее крута. Склад ответственного хранения: хранение продукции склад москва www.skladovka.ru.

Наибольшее практическое применение получила не классическая схема емкостной трехточки (рис. 4.1, а), а схема Клаппа (рис. 4.1, б), в которой последовательно с контурной индуктивностью включается дополнительный конденсатор С3. Это уменьшает коэффициент включения контура в коллекторную цепь и позволяет использовать контуры с высоким волновым сопротивлением и высокой добротностью Q.

Рис. 4.1., б - Классическая схема емкостной трехточки (а), схема Клаппа (б)

При расчете контура обычно задаются волновым сопротивлением и, зная частоту генерируемых колебаний, определяют индуктивность катушки Lк и полную емкость контура С0. Затем по известной добротности нагруженного контура Qн = 100 .150 можно определить его коэффициент включения p в коллекторную цепь транзистора:

,

где Rэк- расчетное значение коллекторной нагрузки АГ. Значения емкостей контурных конденсаторов определяются из простых выражений:

, (4.5)

где Кос - коэффициент обратной связи. При необходимости учитываются влияние входной и выходной емкостей транзистора. Номинальные значения емкостей конденсаторов подбираются по каталогу.

Электрический расчет режима АГ практически совпадает с соответствующим расчетом генератора с внешним возбуждением. Расчет цепей базового питания транзисторного АГ имеет особенности.

При расчете делителя в базовой цепи сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются исходя из следующих требований: во-первых, напряжение смещения на базе транзистора должно быть равно полученному в результате расчета режима. Для этого необходимо, чтобы

, (4.6)

где Rд = R1R2/(R1 + R2) - сопротивление делителя; Еи.к - напряжение источника коллекторного питания; Iк0 и Iб0 - постоянные составляющие коллекторного и базового тока соответственно; Есм - напряжение базового смещения.

Кроме того, для обеспечения высокой добротности колебательной системы сопротивление базового делителя Rд должно быть существенно больше сопротивления X2 ветви контура между базой и эмиттером, а с точки зрения термостабилизации - не должно превышать (4 .6) RЭ, т. е.

. (4.7)

Самое читаемое:

Определение основных параметров усилительных каскадов на транзисторах
, кОм, кОм, кОм, кОм, кОм, мА, кОм, кОм 1 33 13 10 3,3 0,62 1 50 0.7 2 ...