Разделы сайта

Расчет параметров диффузионных резисторов

По выбранным Rсл

и bi

определяется длина резистора li

по формуле:

= bi

(R ∕ Rсл

), (6)

где Nизг - количество изгибов резистора на угол π/2; k1, k2 - поправочные коэффициенты, учитывающие сопротивление контактных областей резистора, зависящее от конфигурации контактной области резистора, соотношения размеров контактного окна l1, контактной области l2 и реальной ширины резистора bi

с каждой его стороны; n1 и n2 - число контактных площадок (обычно n = 2).

Полная относительная погрешность сопротивления диффузионного резистора определяется суммой погрешностей:

ΔRi

∕ Ri

= ΔKф ∕ Kф + Δ Rсл

∕ Rсл

+ αRΔT, (7)

КФ =l ∕ b== R ∕ ρs, (8)

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной дипломной работе был разработан пакет учебно-прикладных программ для обучения студентов дисциплине «Проектирование интегральных микросхем», включающий две лабораторные работы: «Изучение конструкции полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах» и «Расчет параметров диффузионных резисторов». Разработанные лабораторные работы позволяют студентам с помощью персонального компьютера изучить особенности технологии ППИМС, БП транзисторов, структуру кристалла и диффузионных резисторов, типы диффузионных резисторов, особенности их построения и расположения на подложке, выполнить расчет параметров резисторов.

Разработанные лабораторные работы современны, показательны, они являются «студентоориентированными», что облегчает как процесс получения знаний студентами, так и процесс обучения преподавателем. Новая оболочка имеет дружественный интерфейс, интуитивно понятна, эргономична, обладает большим модернизационным потенциалом.

Пакет учебно-прикладных программ был создан с использованием языка XHTML, который является современным языком для разработки сайтов, веб-страниц. Преимуществом выбранного языка является возможность постоянной доработки, совершенствования и дополнения данного пакета учебно-прикладных программ. Благодаря использованию возможностей XHTML лабораторные работы будут понятны любому пользователю, они просты в понимании, что важно, так как чем меньше отвлекающих факторов, тем лучше усвоение изучаемого материала.

В процессе создания данной дипломной работы были рассмотрены основные характеристики материалов, структура и технологические процессы производства ППИС. Также были рассмотрены характеристики и расчет диффузионных резисторов, требования к их проектированию и существующие ограничения.

Тема дипломной работы является перспективной, планируется дальнейшая разработка лабораторных работ данного цикла и включение их в пакет учебно-прикладных программ для обучения студентов дисциплине «Проектирование интегральных микросхем»

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

Основные требования к пластинам кремния [3, с.318].

Характеристика пластин	Диаметр, мм	Допустимые значения
Точность кристаллографической ориентации рабочей поверхности	76; 100	±0,5°
Отклонение диаметра	76	±0,5 мм
	100	±(0,5…0,8) мм
Отклонение толщины от номинала в партии	76; 100	±(10…20) мкм
Отклонение толщины от номинала по пластине	76; 100	±(5…10) мкм
Длина базового среза	76	20…25 мм
	100	30…35 мм
Длина дополнительных срезов	76	9…11 мм
	100	16…20 мм
Непараллельность сторон (клиновидность)	76; 100	±0,5 %
Неплоскостность	76	4…9 мм
	100	5…9 мм
Прогиб в исходном состоянии	76	15…30 мм
	100	20…40 мм
Прогиб после термоиспытаний	76	50 мкм
	100	60 мкм
Шероховатость рабочей стороны	76; 100	Rx ≤ 0.05 мкм
Шероховатость нерабочей стороны	76; 100	Ra ≤ 0.5 мкм Шлифовано-травленная

Перейти на страницу: 1 2 3

Самое читаемое:

Разработка микроконтроллерного устройства стабилизации температуры
Эффективная организация контроля информации приобретает всё большее практическое значение, прежде всего как условие успешной практической деятельности людей. Объем информации, необходимой для нормального функционирования современного общества, растёт из года в год. На сегодняшний день складывается ситуация, в которой наряду с самой ...