Разделы сайта

Расчет параметров диффузионных резисторов

По выбранным Rсл

и bi

определяется длина резистора li

по формуле:

= bi

(R ∕ Rсл

), (6)

где Nизг - количество изгибов резистора на угол π/2; k1, k2 - поправочные коэффициенты, учитывающие сопротивление контактных областей резистора, зависящее от конфигурации контактной области резистора, соотношения размеров контактного окна l1, контактной области l2 и реальной ширины резистора bi

с каждой его стороны; n1 и n2 - число контактных площадок (обычно n = 2).

Полная относительная погрешность сопротивления диффузионного резистора определяется суммой погрешностей:

ΔRi

∕ Ri

= ΔKф ∕ Kф + Δ Rсл

∕ Rсл

+ αRΔT, (7)

КФ =l ∕ b== R ∕ ρs, (8)

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной дипломной работе был разработан пакет учебно-прикладных программ для обучения студентов дисциплине «Проектирование интегральных микросхем», включающий две лабораторные работы: «Изучение конструкции полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах» и «Расчет параметров диффузионных резисторов». Разработанные лабораторные работы позволяют студентам с помощью персонального компьютера изучить особенности технологии ППИМС, БП транзисторов, структуру кристалла и диффузионных резисторов, типы диффузионных резисторов, особенности их построения и расположения на подложке, выполнить расчет параметров резисторов.

Разработанные лабораторные работы современны, показательны, они являются «студентоориентированными», что облегчает как процесс получения знаний студентами, так и процесс обучения преподавателем. Новая оболочка имеет дружественный интерфейс, интуитивно понятна, эргономична, обладает большим модернизационным потенциалом.

Пакет учебно-прикладных программ был создан с использованием языка XHTML, который является современным языком для разработки сайтов, веб-страниц. Преимуществом выбранного языка является возможность постоянной доработки, совершенствования и дополнения данного пакета учебно-прикладных программ. Благодаря использованию возможностей XHTML лабораторные работы будут понятны любому пользователю, они просты в понимании, что важно, так как чем меньше отвлекающих факторов, тем лучше усвоение изучаемого материала.

В процессе создания данной дипломной работы были рассмотрены основные характеристики материалов, структура и технологические процессы производства ППИС. Также были рассмотрены характеристики и расчет диффузионных резисторов, требования к их проектированию и существующие ограничения.

Тема дипломной работы является перспективной, планируется дальнейшая разработка лабораторных работ данного цикла и включение их в пакет учебно-прикладных программ для обучения студентов дисциплине «Проектирование интегральных микросхем»

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

Основные требования к пластинам кремния [3, с.318].

Характеристика пластин	Диаметр, мм	Допустимые значения
Точность кристаллографической ориентации рабочей поверхности	76; 100	±0,5°
Отклонение диаметра	76	±0,5 мм
	100	±(0,5…0,8) мм
Отклонение толщины от номинала в партии	76; 100	±(10…20) мкм
Отклонение толщины от номинала по пластине	76; 100	±(5…10) мкм
Длина базового среза	76	20…25 мм
	100	30…35 мм
Длина дополнительных срезов	76	9…11 мм
	100	16…20 мм
Непараллельность сторон (клиновидность)	76; 100	±0,5 %
Неплоскостность	76	4…9 мм
	100	5…9 мм
Прогиб в исходном состоянии	76	15…30 мм
	100	20…40 мм
Прогиб после термоиспытаний	76	50 мкм
	100	60 мкм
Шероховатость рабочей стороны	76; 100	Rx ≤ 0.05 мкм
Шероховатость нерабочей стороны	76; 100	Ra ≤ 0.5 мкм Шлифовано-травленная

Перейти на страницу: 1 2 3

Самое читаемое:

Алгоритм поиска неисправности и способ настройки и регулировки импульсного источника питания
Источниками питания называют устройства, предназначенные для снабжения электронной аппаратуры электрической энергией и представляющие собой комплекс приборов и аппаратов, которые вырабатывают электрическую энергию и преобразуют её к виду, необходимому для нормальной работы каждого узла электронной аппаратуры. В настоящее время с ...