Разделы сайта

• Главная
• Исследования и анализ современных технологий
• IP-телефония
• Антенно-фидерные устройства
• Виртуальное построение рабочей локальной сети
• Влияние электромагнитного поля на подземную проволочную антенну
• Микрополосковая антенная решетка
• Система экологического мониторинга вредных газовых выбросов
• Организация процесса производства цифрового телевиденья

Расчет параметров диффузионных резисторов

Исходными данными для расчета геометрических размеров диффузионных резисторов являются: заданное в принципиальной электрической схеме номинальное значение сопротивления Ri

и допуск на него ΔRi

; сопротивление резисторного слоя Rсл

, на основе которого формируется резистор; среднее значение мощности Р и максимально допустимая удельная мощность рассеяния Р0; основные технологические и конструктивные ограничения. Анкера купить ростов анкерные болты купить.

Проектирование диффузных резисторов осуществляется в следующем порядке:

по заданной величине сопротивления выбираются параметры резисторного слоя (Rсл

);

- определяется ширина резисторов bi

, исходя из заданной точности изготовления величины сопротивления (DRi

∕ Ri

);

по выбранным Rсл

и bi

определяется длина резисторов (li

) c учетом их формы;

определяются паразитные параметры проектированных диффузионных резисторов.

Ширина резистора определяется по формуле:

, (1)

где: Db - точность изготовления линейных размеров диффузионных резисторов, для типовых технологических процессов Db=5,5 мкм; DRi

∕ Ri

и DRсл

∕ Rсл

- соответственно, заданная точность сопротивления резистора и точность изготовления резистивного слоя (табл. 3).

Ширина резистора ограничивается разрешающей способностью фотолитографии. За расчетную ширину bi

i-го

резистора принимают значение, которое не меньше наибольшего значения одной из трех величин: bтехн, bточн, bР:

bi

≥ mах{ bтехн, bточн, bР }, (2)

где:

bтехн - минимальная ширина резистора, определяемая разрешающей способностью технологических процессов;

bточн - минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность геометрических размеров;

bр - минимальная ширина резистора, определяемая из максимально допустимой мощности рассеяния.

Величину bтехн, находят из перечня технологических ограничений выбранной технологии (например, для планарно-эпитаксиальной технологни bтехн = 5 мкм).

Ширину bточн определяют из выражения:

bточн = (Δb + Δl ∕ КФ)КФ ∕ΔKф, (3)

где Δb и Δl - абсолютные погрешности ширины и длины резистивной полоски, обусловленные технологическими процессами, Кф - коэффициент формы резистора; ΔKф - погрешность коэффициента формы резистора.

Для типовых технологических процессов Δb = Δl = 0,05÷ 0,1 мкм.

ΔKф ∕ КФ = ΔR ∕ R−ΔRсл

∕ Rсл

− αRΔT, (4)

где ΔKф ∕ Кф - относительная погрешность коэффициента формы резистора; ΔRсл

∕ Rсл

- относительная погрешность воспроизведения удельного сопротивления резистивного слоя (табл. 3), αR - температурный коэффициент сопротивления резистора (табл. 3); ΔT - температурная погрешность сопротивления.

Ширину bp определяют из выражения

(5)

где - максимально допустимая удельная мощность рассеяния, выбираемая в зависимости от типа корпуса микросхемы и условий ее эксплуатации в пределах 0,5-4,5 Вт ∕ мм2.

Принимаем, что интегральный полупроводниковый резистор в сечении, перпендикулярном направлению протекания тока, имеет прямоугольную форму.

Самое читаемое:

Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине Проектирование интегральных микросхем
Целью данной дипломной работы является разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине «Проектирование интегральных микросхем». Данный пакет предназначен для изучения студентами: технологии полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах; основных принципов проектирования полупро ...