Разделы сайта

Характеристики материалов и структура ППИС

Показателем сложности микросхемы является степень интеграции К, которая характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов N:K=\gN, где К округляется до ближайшего большего целого числа. По степени интеграции микросхемы подразделяют на:

малые интегральные схемы (МИС) - это схемы 1 .2-й степени интеграции, содержащие от нескольких до 100 элементов и компонентов, в состав которых входит один или несколько видов функциональных аналоговых или логических элементов, например логических элементов И, ИЛИ, НЕ, триггеров, усилитель, фильтр и т. п.;

средние интегральные схемы (СИС) - схемы 2 .3-й степени интеграции, содержащие от нескольких десятков до I ООО элементов и компонентов, в состав которых входят один или несколько одинаковых функциональных узлов электронных устройств (регистр, счетчик, дешифратор, постоянное запоминающее устройство);

большие интегральные схемы (БИС) - это схемы 3 .4-Й степени интеграции, содержащие от нескольких сотен до 10 000 элементов, в состав которых входит одно или несколько функциональных устройств (например, арифметико-логическое устройство, оперативное запоминающее устройство, перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство и др.);

сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) - это интегральные микросхемы 5 .7-й степени интеграции, представляющие собой законченное микроэлектронное изделие, способное выполнять функции аппаратуры (например, ЭВМ).

Наибольшей степенью интеграции обладают полупроводниковые микросхемы, затем тонкопленочные и, наконец, толстопленочные (в том числе, гибридные). По степени интеграции полупроводниковые микросхемы на биполярных транзисторах уступают интегральным микросхемам на МДП-транзисторах (табл. 1).

Таблица 1. Классификация микросхем по уровням интеграции

Цифровые микросхемы

Аналоговые микросхемы

на МДП-транзисторах

На БП-транзисторах

МИС

< 100

< 100

< 30

СИС

> 100 < 1000

> 100 < 500

> 30 < 100

БИС

> 1000 < 10000

> 500 < 2000

> 100 < 300

СБИС

> 10000

> 2000

> 300

По применяемости в аппаратуре различают микросхемы широкого и частного применения. К последним относятся микросхемы, предназначенные для использования в конкретной аппаратуре и изготавливаемые непосредственно на предприятии, ее производящем.

В ряде случаев разработчики конкретной РЭА для улучшения показателей ее миниатюризации изготавливают микросборки, в состав которых входят элементы, компоненты, интегральные микросхемы и другие ЭРЭ. Микросборки по технологическому исполнению не отличаются от гибридных микросхем. И по функциональной сложности, и по степени интеграции микросборки, как правило, соответствуют БИС. Однако в отличие от них они не выпускаются как самостоятельные изделия широкого применения, а являются микроэлектронными изделиями частного применения, разрабатываемыми для конкретной МЭА.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Самое читаемое:

Анализ методик определения комплексных коэффициентов передачи смесителей
При работе смесителя в составе радиоэлектронного устройства его главными характеристиками являются комплексный коэффициент передачи (модуль и фаза) и степень согласования с остальной схемой или коэффициенты отражения входов и выхода и их изменение в диапазоне частот, то есть АЧХ и ФЧХ этого смесителя. С развитием микрополосковых ...

www.techstages.ru : Все права защищены! 2024