Задающий генератор выполнен по схеме с емкостной трехточки на транзисторе VT1 типа КП346А - кремниевый, планарный, полевой с 2 изолированными затворами. Электрические параметры: , , , Межэлектродные емкости [12.] На каскад VT1 поступает напряжение ФАПЧ от синтезатора На этот же варикап с микрофонного тракта через регулятор девиации R4 поступает модулирующий сигнал частотой 0,3…3,4 кГц.
В режиме передачи на каскад УВЧ (транзистор VT4) поступает питание +10 В. Модулированный сигнал частотой 30,3 МГц поступает на первый затвор (VT2), на второй затвор поступает сигнал от гетеродина (через синтезатор) частотой
С выхода смесителя (транзистор VT2 и полосовой фильтр L5, С12) сигнал частотой поступает на УВЧ (VT4) и усилитель мощности VT5, VT6 и через согласующие цепи поступает в антенну.
Переключение уровня выходной мощности осуществляется ключом на транзисторе VT7. При включении большей мощности он открыт. При меньшей мощности транзистор VT7 закрыт, а питание поступает через резистор R21, уменьшая раскачку выходного каскада. Переключение мощности осуществляется подачей высокого/низкого логических сигналов от процессора синтезатора на инвертор на транзисторе VT8.
Рисунок 26 - Схема формирования информационного сигнала
Рисунок 27 - Схема усилителя и УМ
Таблица 6
Перечень компонентов схемы формирования информационного сигнала, схемы усилителя и УМ
Схемное обозначение |
Тип компонента |
Количество |
1 |
2 |
3 |
Транзисторы | ||
VT1, VT2 |
Транзистор маломощный КП346А |
2 |
VT3, VT4, VT8 |
Транзистор маломощный КТ3120А |
3 |
VT5, VT6, VT7 |
Транзистор мощный 2Т925Б |
3 |
VД1 |
Варикап КВ132А |
1 |
VД2 |
Диод 2Д222ГС |
1 |
ДА1 |
Микросхема TDA 2003 |
1 |
Резисторы | ||
R1, R9 |
С2-23-0,125 - 150 Ом ± 5% |
2 |
R2 |
С2-23-0,125 - 4 кОм ± 5% |
1 |
R3 |
С2-23-0,125 - 150 кОм ± 5% |
1 |
R5, R11, 17 |
С2-23-0,125 - 10 кОм ± 5% |
4 |
R6, R7 |
С2-23-0,125 - 100 кОм ± 5% |
2 |
R8, R10, R13 |
С2-23-0,125 - 100 Ом ± 5% |
3 |
R12, R15 |
С2-23-0,125 - 2 кОм ± 5% |
2 |
R14 |
С2-23-0,125 - 500 Ом ± 5% |
1 |
R16, R19 |
С2-23-0,125 - 560 Ом ± 5% |
2 |
R18 |
С2-23-0,125 - 2,5 кОм ± 5% |
1 |
R20 |
С2-23-0,125 - 680 Ом ± 5% |
1 |
R21 |
С2-23-0,125 - 18 Ом ± 5% |
1 |
R22 |
С2-23-0,125 - 10 Ом ± 5% |
1 |
R4 |
СП5-3В -1Вт - 10 кОм |
1 |
Конденсаторы | ||
С1, С20 |
К10-17-2Б-М47 - 27 пФ |
2 |
С2, С13, С14 |
К10-17-2Б-М47 - 51 пФ |
3 |
С3 |
К10-17-1Б-М90 - 43 пФ |
1 |
С4, С17 |
К10-17-1Б-М90 - 1000 пФ |
2 |
С5 |
К10-17-1Б-М90 - 3 пФ |
1 |
С6, С22 |
К10-17-1Б-М90 - 0,1 мкФ |
2 |
С7 |
К10-17-1Б-М90 - 10 пФ |
1 |
С8, С23 |
К10-17-1Б-М90 - 5,6 пФ |
2 |
С9, С10, С16, С18 |
К10-17-1Б-М90 - 33 пФ |
4 |
С11, С12, С15 |
К10-17-1Б-М90 - 5,1 пФ |
3 |
С19 |
К10-17-2Б-М47 - 100 пФ |
1 |
С20 |
К10-17-2Б-М47 - 27 пФ |
1 |
С21 |
К10-17-2Б-М47 - 18 пФ |
1 |
С24, С25 |
К10-17-2Б-М47 - 30 пФ |
2 |
С26 |
К10-47а-16В - 1000 мкФ |
1 |
С27 |
К10-17-1Б-М90 - 0,01 мкФ |
1 |
Полосовые фильтры | ||
L1…L4 |
ПАВ индуктивность 0,9 мкГн |
4 |
L5…L7 |
ПАВ индуктивность 0,08 мкГн |
3 |
L8…L13 |
КФ индуктивность 0,09 мкГн |
6 |
Самое читаемое:
Исследование электромагнитной обстановки в помещении при воздействии сверхкоротких электромагнитных импульсов на электронные средства
Задача борьбы с электромагнитными воздействиями возникла почти
одновременно с электроникой, но в то время самостоятельного значения не имела и
особых трудностей для своего решения не представляла. Трудности появились с
увеличением количества технических средств, в частности электронных средств
(ЭС), усложнением и ...