Разделы сайта

Поверочный расчет каскадов станции

Из расчета автогенератора известны следующие параметры: , относительная девиация частоты , коэффициент гармоник КГ<5%. Находим амплитуду модулирующего напряжения: https://clinicamir.ru мезотерапия волос цены.

Расчет сопротивления резистивного делителя R2, R3:

Принимаем ток делителя .

При выборе величины резистора 1R2 используем уравнение [7]:

Принимая

Находим

Выбираем величину резистора 1R1, равную 250 кОм.

Тогда 1R2 принимаем равным 1 кОм.

Расчет конденсатора связи 1С3:

Выбираем 1С3 = 43 пФ.

Величину резистора 1R5 находим по формуле:

Амплитуда модулированного сигнала на выходе генератора:

.2.3 Выбор и расчет схемы преобразователя частоты

Преобразователем частоты называют устройство, в котором несущая частота сигнала преобразуется в более низкую (разностную) или более высокую (суммарную) частоту сигнала и гетеродина, то есть происходит перенос спектра сигнала с сохранением закона модуляции.

Преобразователь частоты состоит из смесителя и гетеродина. Основными элементами смесителя являются: нелинейный элемент, входное устройство и выходной фильтр, настроенный (в данном случае) на суммарную частоту частотно- модулированного сигнала, с несущей частотой и частотой гетеродина

Преобразователь частоты является линейным элементом для колебаний сигнала, информацию о котором несет огибающая биений, воздействующая в области линейной части вольтамперной характеристике нелинейного элемента. В то же время преобразователь - нелинейный элемент для колебаний гетеродина, заполняющих биения и воздействующих в нелинейной области характеристики смесителя. Преобразователи частоты характеризуются следующими основными параметрами: коэффициентом преобразования Кпрг, коэффициентом шума Nш, полосой пропускания входной и выходной проводимостью .

Величина коэффициента преобразования и коэффициента шума Nш зависит от амплитуды гетеродина и напряжения смещения .

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...