В схеме на рис.2.13, а - элементы Х1, ХL, Х2 образуют П-образный ФНЧ, а Х3, Х0 - емкостный делитель для расширения пределов согласования. Символ R1 обозначает промежуточное значение пересчитанного сопротивления нагрузки. В цепи Х3ХL не должно быть последовательного резонанса на какой-либо из частот в полосе пропускания, так как при резонансе сопротивление Rопт без трансформации соединяется с нагрузкой, что входе и выходе схемы получаются близкими к гармоническим. В этом и заключаются фильтрующие свойства схемы. Реактивные составляющие сопротивлений нарушает согласование. При построении каскада следует учитывать, что от типа ЦС зависит форма токов и напряжений транзисторов. Так, при больших емкостях Х1 и Х2 напряжения на генератора и нагрузки считаются входящими в состав элементов связи Х0 и Х2. Другими словами, выходная емкость транзистора Т1 суммируется с Х0, а входная емкость Т2 с Х2- Полюса 5, 6 обозначают вход четырехполюсника, а 3, 4 - его выход. Трансформирующие свойства ФНЧ упрощенно можно объяснить следующим образом. Напряжение на входных зажимах 5, 6 фильтра будет большим, чем на выходных 3, 4 из-за неравенства Χ0>Χ2;С0<С2. Произошла трансформация напряжений, при этом ток на выходе может быть больше, чем на входе.
В схеме на рис.2.13, б элементы Χ2, XL образуют ФНЧ, а Х0, X1-делитель напряжения. Индуктивность XL2 служит для частичной компенсации выходной емкости транзистора T2 некомпенсированная часть емкости входит в Х0. Между Χ1 и XL не должно быть последовательного резонанса в рабочем диапазоне.
В схеме на рис.2.13, в используется параллельный контур с неполным включением. Коэффициенты включения транзисторов различны: для T1 имеем контур III вида, а для Т2 - II вида с точками включения 1, 2 и 3, 4 соответственно. Иногда нагрузка контура подключается к нему через емкостный делитель.
Схема на рис.2.13, г получается из схемы рис. 000, б путем исключений индуктивности ХL2; применяется для согласования с кабелем.
Самое читаемое:
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых
сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической
структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу.
Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев
представляло в то время необычайно сло ...