Основные составные части лазерного оборудования:
· лазер твердотельный или газовый;
· оптический канал для юстировки и фокусирования излучения;
· двухкоординатный стол, на котором базируются заготовки;
· система управления;
· система контроля и пр.
Лазерное сверление будем осуществлять с использованием специальной металлической маски с отверстиями, после совмещения которой с заготовкой ПП и воздействия лазерного излучения происходит испарение материала основания ПП в местах расположения отверстий на маске. Достоинством способа является высокая производительность, недостатком - необходимость изготовления металлической маски с высокой точностью расположения и изготовления отверстий малого диаметра. Эскиз этапа приведён на рисунке 14.
Рисунок 14 - Получение переходных отверстий
. Подготовка поверхностных слоёв.
Этот этап осуществляется с целью:
· удаления заусенцев, смолы и механических частиц из отверстий после сверления;
· получения равномерной шероховатости поверхности, т.е. придания ей структуры, обеспечивающей прочное и надёжное сцепление (адгезию) с фоторезистом;
· активирования поверхности перед химическим меднением;
· удаления оксидов, масляных пятен, захватов пальцами, пыли, грязи, мелких царапин и пр.
Используем химический способ для очистки слоёв МПП перед прессованием. Операции химической очистки:
· химическое обезжиривание для удаления загрязнений органического происхождения;
· каскадная промывка в горячей и холодной воде;
· микротравление - для удаления оксидных плёнок, улучшения адгезии и создания микрорельефа;
· обработка в антистатике;
· каскадная промывка;
· сушка.
Наиболее распространённый способ обработки - перманганатная. Её основные этапы:
· сенсибилизация в щелочном растворе при T=65…70 в течение 2…10 мин;
· обработка в регенерируемом растворе перманганата при T=65…70 в течение 8…10 мин, содержащем окислители, который обеспечивает микрошероховатость для лучшей абсорбции катализатора, улучшает адгезию меди к стенкам отверстий;
· нейтрализация при T=20…40 в течение 3…5 мин для усиления матирования стекловолокон и адгезии меди к стеклянной части стенок отверстия.
После каждого этапа осуществляется промывка водопроводной водой.
. Химическая металлизация диэлектрика ( под слой меди).
Так как проектируемая МПП имеет четвёртый класс точности, то для данного этапа будем использовать химическое меднение 3…5 мкм, используемое при производстве прецизионных плат, какими, безусловно, являются ПП для самолётной техники. Эскиз данного этапа приведён на рисунке 15.
Рисунок 15 - Предварительная металлизация
Требования к процессу химического меднения:
· высокая скорость металлизации (3…4 мкм/ч);
· длительный срок службы раствора (10…12 месяцев);
· стабильность раствора;
· экономичность растворов;
· простота утилизации отработанных растворов;
· минимальное влияние на окружающую среду.
. Предварительная гальваничческая металлизация.
На этом этапе используем гальваническое меднение. Оно применяется для получения основного токопроводящего слоя меди в монтажных и переходных отверстиях, на проводниках и контактных площадках (толщина 25…35 мкм).
Гальваническое осаждение покрытий производитсят в ваннах с электролитом, в которые погружаются заготовки ПП, предварительно закреплённые в ПП.
На рисунке 16 приведён эскиз данного этапа ТП.
Рисунок 16 - Гальваническое меднение
. Получение рисунка схемы.
. Гальваническая металлизация рисунка.
. Нанесение металорезиста на рисунок.
. Удаление маски.
. Травление Cu.
Травление в производстве ПП - процесс химического разрушения металла (в основном меди) в результате действия жидких или газообразных травителей на участки поверхности заготовки, незащищённые защитной маской (травильным резистом). Травление представляет собой сложный окислительно-восстановительный процесс, который применяют для формирования проводящего рисунка ПП путём удаления меди с незащищённых травильным резистом участков.
Самое читаемое:
Автомат включения вентилятора
Выпуск бытовой радиоэлектронной аппаратуры в
нашей стране увеличивается. С каждым годом расширяется её ассортимент,
совершенствуется технология производства на основе использования операционных
усилителях, интегральных микросхем и микросборок, новейших достижений
микроэлектроники и микропроцессорных средств обслуживание и обеспечени ...