Разделы сайта

Исследование спектрально-оптических характеристик в диапазоне генерации

, (3.13)

где N0 - концентрация ионов Tm3+. Для кристалла Tm: CaF2 с допированием 3% ат. см-3, с допированием 4,8% ат. см-3 Эффективное сечение усиления находилось по формуле (3.9). Заметим, что данная методика позволила экспериментально учесть влияние распределения населённости по штарковским подуровням, в то время как, нахождение сечения излучения на данной длине волны требует точного знания больцмановского распределения населённости в пределах рассматриваемого уровня. Полученные в результате расчетов данные представлены на рисунках 3.4 и 3,5 для кристаллов 3% и 4,8% соответственно.

Рис. 3.4. Зависимости и кристалла Tm: CaF2 от длины волны для 3%. Tm3+

Рис. 3.5. Зависимости и кристалла Tm: CaF2 от длины волны для 3%. Tm3+

Для лазерных сред, работающих по квазитрехуровневой схеме, важно соотношение и . Пренебрежем процессами ап-конверсии, вследствие их малой вероятности, и предположим, что все ионы Tm3+ распределены по уровням 1 и 2. Тогда уравнение (3.10) можно представить в виде:

, (3.14)

где Р - параметр инверсной населённости, равный отношению населённости ионов Tm3+ находящихся на верхнем уровне лазерного перехода N2 к общему числу активных центров N0. Результаты расчетов представлены на графиках (рис. 3.6, рис. 3.7).

Рис. 3.6. Зависимость усиления для различных значений коэффициента инверсии P кристалла Tm: CaF2 допированного 3% Tm3+.от длины волны

Рис. 3.7. Зависимость усиления для различных значений коэффициента инверсии P кристалла Tm: CaF2 допированного 3% Tm3+.от длины волны

Перейти на страницу: 1 2

Самое читаемое:

Операционный микроэлектронный усилитель
Современная радиоэлектронная аппаратура (РЭА) характеризуется тремя основными чертами: резким возрастанием количества компонентов и в связи с этим значительным уплотнением аппаратуры; мобильностью, так как РЭА устанавливается на объектах, движущихся с космическими скоростями; количественным ростом выпуска аппаратуры и, след ...