Разделы сайта

• Главная
• Исследования и анализ современных технологий
• IP-телефония
• Антенно-фидерные устройства
• Виртуальное построение рабочей локальной сети
• Влияние электромагнитного поля на подземную проволочную антенну
• Микрополосковая антенная решетка
• Система экологического мониторинга вредных газовых выбросов
• Организация процесса производства цифрового телевиденья

Классификация методов исследования наноструктурированных поверхностей

Физические методы, наиболее часто используемые в настоящее время для исследования наноструктур и поверхности твердого тела, представлены в табл. 1. В основу данной таблицы положена группировка методов по способу внешнего воздействия на исследуемый объект и по типу регистрируемого ответного сигнала. Внизу таблицы дана расшифровка сокращенных названий перечисленных в ней методов.

Разные методы позволяют получить различную информацию об исследуемом объекте. Как правило, при анализе наноструктур и поверхности твердого тела наиболее важной является информация об их атомной структуре, элементном составе и электронных свойствах.

Таблица 1 - Основные физические методы исследования наноструктур и поверхности, сгруппированные по типам воздействия на исследуемый объект и регистрируемого сигнала, hv - электромагнитное излучение, е-, N+- - пучки ускоренных электронов и ионов. Т-температура

Так, метод ДМЭ (дифракция медленных электронов) позволяет определить структуру кристаллической решетки образца, РЭМ (растровая электронная микроскопия) используется для исследования морфологии объектов с размерами >10 нм, а СТМ (сканирующая туннельная микроскопия) и АСМ (атомно-силовая микроскопия) позволяют наблюдать отдельные атомы на поверхности твердого тела. Кроме того, некоторые методы предъявляют определенные требования к исследуемым образцам. Например, методы СТМ (сканирующая туннельная микроскопия), СТС (сканирующая туннельная спектроскопия) применимы только для проводящих образцов, МСМ (магнитно-силовая микроскопия) - для исследования магнитных материалов, ПЭМ (просвечивающая электронная микроскопия) используется для анализа тонких пленок.

Самое читаемое:

Диод Шоттки
Диод Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) - с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки . Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода , как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемы ...