Разделы сайта

• Главная
• Исследования и анализ современных технологий
• IP-телефония
• Антенно-фидерные устройства
• Виртуальное построение рабочей локальной сети
• Влияние электромагнитного поля на подземную проволочную антенну
• Микрополосковая антенная решетка
• Система экологического мониторинга вредных газовых выбросов
• Организация процесса производства цифрового телевиденья

Изучение параметров полевых транзисторов

Таблица 1

Задание №2

Второе задание заключалось в построении выходных характеристик транзистора . Зависимости были получены при двух различных напряжениях затвора. Полученные результаты представлены в таблице 2 и на рисунке 2.

Погрешности значений определяются приборной погрешностью и по абсолютному значению равны: и . По выходной характеристике при отсутствии напряжения на затворе () можно определить минимальное сопротивление канала . Оно равно дифференциальному сопротивлению этой зависимости в начале координат (рис. 2). Используя метод сплайн-функций, мы численно подсчитали производную и получили:Rk0 = 53 КОм. Напряжение насыщения для данной кривой .

Для того чтобы найти напряжение отсечки, мы построили зависимость при (рис. 2). Максимальный ток равен . Проэкстраполировав полученную зависимость, мы нашли напряжение отсечки Uотс = -(4.1 ± 0.2)В.

Крутизна вычисляется как производная зависимость , и при Uз = 10В равна

S = (1.4 ± 0.1) 10-4 А/В.

Таблица 2

Рис 2 зависимость

Таблица 3

Самое читаемое:

Разработка мер совершенствования системы инженерно-технической защиты информации в конференц-зале коллекторского агентства
В современных условиях информация играет решающую роль, как в процессе экономического развития, так и в ходе конкурентной борьбы на внутреннем и внешнем рынках. Успешное функционирование и развитие предприятий все больше зависит от совершенствования их деятельности в области обеспечения информационной безопасности в сфере произво ...