В основе метода температурного изменения поглощения света полупроводниками лежит физическое явление смещения границы полосы поглощения полупроводников λх при изменении температуры окружающей среды Т [4-8]. Для света с более короткой длиной волны, поглощение усиливается, причем по мере роста температуры Т граница полосы поглощения
отодвигается в сторону более длинных волн. Проводившиеся исследования поведения полупроводников в сильных электромагнитных полях [25] показали, что в полупроводниках носители зарядов взаимодействуют с полями, в результате чего происходит нагревание полупроводников. При создании устройств измерения температуры в условиях воздействия сильных электромагнитных полей на основе этого метода является обязательным наличие системы экранировки чувствительного элемента полупроводника.
Самое читаемое:
Базовые механизмы управления шагающим роботом
При движении в сложных условиях машины с шагающими движителями могут быть
более эффективными в сравнении с традиционными транспортными средствами.
Использование шагающего способа передвижения дает качественный рост ряда
основных показателей транспортных машин по сравнению с колесными и гусеничными
движителями. Имеют место принципиал ...