Разделы сайта

Активный полосовой фильтр на операционном усилителе и его амплитудно-частотная характеристика

UR1 = Imax . R1 ≤ UR1min ,

а UR1min = 0,1Uсд ,

следовательно,

Выберем величину R1 из стандартного ряда [Приложение 1]:

Определи мощность рассеивания резистора R1:

Выберем тип и номинал R1:

С2-33Н-0,125 - 470 Ом ± 5%

Определим величину сопротивления резистора R2 в цепи обратной связи:

Выберем величину сопротивления R2 из стандартного ряда [Приложение 1]:

Определи мощность рассеивания резистора R2:

Выберем тип и номинал R2:

С2-33Н-0,125 - 1 МОм ± 5%

Определим величину сопротивления резистора R3, минимизирующего смещение:

Выберем величину R3 из стандартного ряда [Приложение 1]:

Определи мощность рассеивания резистора R3:

Выберем тип и номинал R3:

С2-33Н-0,125 - 470 Ом ± 5%

Определим величину емкости конденсатора С1, входящего совместно с R1 в состав фильтра высоких частот и определяющего нижнюю частоту сопряжения fн:

откуда получаем:

Выберем величину емкости конденсатора С1 из стандартного ряда [Приложение 1]:

Выберем тип и номинал:

К70-6 - 63 В - 330 пФ ± 10%

Определим величину емкости конденсатора С2, входящего совместно с R2 в состав фильтра низких частот и определяющего верхнюю частоту сопряжения fв:

откуда:

Выберем величину емкости С2 из стандартного ряда [Приложение 1]:

Выберем по типо-номиналу:

К70-6 - 63 В - 22 пФ ± 10%

Построим амплитудно-частотную характеристику фильтра.

Рисунок 2.2 - Амплитудно-частотная характеристика активного полосового фильтра на операционном усилителе.

Заключение

В результате проделанной курсовой работы была разработана принципиальная схема активного полосового фильтра на операционном усилителе, был обоснован состав ее элементов, а также их электрический расчет, построен график амплитудно-частотной характеристики.

При расчете элементов принципиальной схемы были получены следующие значения:

Спецификация на рассчитанные элементы:

Элемент	Номинальное значение	Типо-номинал элемента
R1	470 Ом	С2-33Н-0,125 - 470 Ом ± 5%
R2	1 МОм	С2-33Н-0,125 - 1 Мом ± 5%
R3	470 Ом	С2-33Н-0,125 470 Ом ± 5%
С1	330 пФ	К70-6 - 63 В - 330 пФ ± 5%
С2	0,1 пФ	К70-6 - 63 В - 22 пФ ± 10%

Перейти на страницу: 1 2 3

Самое читаемое:

Молекулярно-лучевая эпитаксия
Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сло ...