Разделы сайта

Датчик состояния силовых полупроводниковых ключей

При управлении силовыми полупроводниковыми преобразователями необходима информация о состоянии силовых ключей, о соответствии этого состояния управляющим сигналам.

Закрытому состоянию ключа соответствует высокое напряжение между анодом и катодом, открытому - остаточное напряжение, равное (1,5÷2,5) В.

Рассмотрим работу датчиков состояния на примере двух последовательно включенных тиристоров в одном плече преобразователя.

Рисунок 44. Датчик состояния силовых ключей с двумя последовательно включенными тиристорами в одном плече преобразователя

Определение состояния ключей VS1 и VS2 производится с помощью двух оптронных пар U1 и U2, которые состоят из светодиода и составного фототранзистора.

В закрытом состоянии высокий потенциал на аноде тиристоров, равный Ud/2, определяет прямой ток включения светодиодов оптронов. Этот прямой ток равен (10÷20) мА. Для получения этого тока подбираются R1 и R2 таким образом, чтобы

При отпирании светодиода открывается фототранзистор и на выходе имеем низкий уровень: Uвых1= Uвых2= "0".

В открытом состоянии между анодом и катодом тиристоров VS1 и VS2 есть напряжение Uостаточное= (1,5÷2,5) В. При таком напряжении светодиоды и светотранзисторы закрыты: Uвых1= Uвых2= "1".

Чтобы на обоих выходах были "0" или "1", нужно поставить логический элемент "исключающее ИЛИ".

Оптические бесконтактные датчики

Оптические бесконтактные датчики выполняются на основе оптронных пар типа фотодиод-светодиод или светодиод-фотодиод с открытым оптическим каналом.

Рисунок 45. Оптический бесконтактный щелевой П-образный датчик

Рисунок 46. Простейшая схема фотодатчика

Рисунок 47. Схема применения фотодатчика

Принцип работы схемы:

Изменение освещенности фотодиода VD2 приводит к изменению ЭДС, которая усиливается операционным усилителем. Для придания сигналам прямоугольного вида выходной импульс операционного усилителя пропускается через компаратор.

Самое читаемое:

Разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине Проектирование интегральных микросхем
Целью данной дипломной работы является разработка пакета учебно-прикладных программ по дисциплине «Проектирование интегральных микросхем». Данный пакет предназначен для изучения студентами: технологии полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах; основных принципов проектирования полупро ...