Разделы сайта

Блок памяти

В качестве микросхемы для ОЗУ в курсовой работе используется микросхема статического ОЗУ AMC21С512. Она представляет собой маломощное запоминающее устройство емкостью 64Кх8, выполненное по CMOS технологии и полностью совместима с уровнями ТТЛ. Принципиальное обозначение показано на рис. 2.3. Она имеет вход выборки микросхемы СЕ и вход разрешения выдачи данных ОЕ. Также имеется вход запись / чтение R/W. Работу микросхемы поясняет таблица 2.1.

Рисунок 2.3 - Банк ОЗУ на микросхеме AMC21С512

Таблица 2.1 - Таблица работы микросхемы ОЗУ AMC21С512

Режим	R/W	СЕ	ОE	Операция ввода / вывода
Не выбрана	X	1	X	Высокоимпедансное состояние
Запрет выхода	X	0	1	Высокоимпедансное состояние
Чтение	1	0	0	Считывание
Запись	0	0	X	Запись

X - любой сигнал (0 или 1)

В качестве микросхемы для ПЗУ в курсовой работе используется микросхема AMC27C512. Она представляет собой маломощное запоминающее устройство емкостью 64Кх8 и полностью совместима с уровнями ТТЛ. Условное графическое обозначение показано на рис. 2.4. Она имеет вход выборки микросхемы CS и один вход разрешения выдачи данных ОЕ. Работу микросхемы поясняет таблица 2.2.

Рисунок 2.4 - Блок ПЗУ AMC27C512

Таблица 2.2 - Таблица работы микросхемы ПЗУ AMC27C512

Режим	СЕ	ОЕ	D0-D7
Не выбрана	1	X	Высокоимпедансное состояние
Запрет выхода	0	1	Высокоимпедансное состояние
Чтение	0	0	Считывание

Поскольку шина данных микропроцессора 16-ти разрядная, то запись длинного слова производится за два цикла шины. Выбор нужного числа разрядов осуществляется соответствующей обработкой сигналов UDS# и LDS#. Управляющий сигнал R/W подаётся на блок ОЗУ, и определяет производится запись или чтение.

Самое читаемое:

Определение основных параметров усилительных каскадов на транзисторах
, кОм, кОм, кОм, кОм, кОм, мА, кОм, кОм 1 33 13 10 3,3 0,62 1 50 0.7 2 ...