Величина паразитной емкости резистора (CR
) определяется по формуле
,
где SR
- площадь резистора, находящегося в контакте с обедненным слоем, Wоб
(l/2) - ширина обедненного слоя на уровне половины длины резистора, определяемая с учетом разности потенциалов между серединным участком резистора и общей изолирующей областью.
Величина граничной частоты использования резистора с учетом паразитной емкости определяется по формуле:
Таким образом, диодному виду изоляции присущи определенные ограничения. Ток утечки обедненного слоя ограничивает максимально реализуемое сопротивление резистора. Емкостной эффект обедненного слоя ограничивает максимальную частоту использования данного резистора.
Самое читаемое:
Локальные системы автоматики
1). Закон регулирования - ПИД; критерий качества регулирования 20%
перерегулирования (=20%).
Рис. 1. Кривая разгона.
Аппроксимация кривой разгона апериодическим звеном первого порядка с
запаздыванием. Определение соотношения наклона угла (0.1 - 0.2).
Рис. 2.
Рассмотрим кривую разгона (рис. 1) с с ...