Пассивные элементы ППИС (резисторы) изготавливаются в том же едином технологическом цикле, что и активные элементы. Все расчеты диффузионных резисторов основаны на размерах областей активных элементов.
Распределение примесей в объеме резистора вглубь кристалла соответствует распределению примесей в эмиттерной или в базовой области ППИС (рис. 4 и 5), так как диффузионные резисторы изготовляются одновременно с изготовлением ППИС. Поэтому диффузионные резисторы подразделяются на резисторы эмиттерного или базового типа. https://svplanet.ru мегафон тарифы для телефона 2024. Самые деше вые тарифы мегафона.
Характеристики резисторов зависят от того, какой слой транзисторной структуры использован в качестве резистивного (табл. 3).
Таблица 3. Характеристики резисторов эмиттерного и базового типа [2, с.118].
Тип резистора |
Номиналы [0м] |
Сопр.слоя [Ом/кв] |
D Rсл /Rсл [%] |
ТКС, 106 [1/0 C] |
Базовый |
100…30000 |
200 |
10 |
+2500 |
Эмиттерный |
5…50 |
2,5 |
30 |
+100 |
Рис. 4. Типовое распределение примесей в структуре биполярных транзисторов ППИМС с диодной (р-п) изоляцией
Рис. 5. Распределение примесей вглубь кристалла
Размеры для диффузионных резисторов в плоскости кристалла определяются размерами диффузионного окна, которые могут быть линейного или зигзагообразного типа. Формы диффузионных резисторов приведены на рис.6.
г)
Рис. 6. Формы диффузионных резисторов.
На Рис. 6:
а) и б) линейные резисторы;
в) зигзагообразный;
г) низкоомный резистор.
Для снижения погрешности выполнения диффузионных резисторов необходимо учитывать влияние контактных о6ластей на сопротивление резисторов (рис. 7 и 8).
Рис. 7. Линии тока и эквипотенциальные поверхности в резистивном слое: а) при изгибе резистора под прямым углом; б) у металлического контакта.
Рис. 8. Формы контактных о6ластей и графики коэффициентов k.
Самое читаемое:
Анализ и синтез систем автоматического регулирования
Цель настоящей работы - выбор и обоснование типов регуляторов
положения, скорости и тока, а также расчет параметров настройки этих
регуляторов. Для синтеза автоматической системы будем использовать метод
поконтурной оптимизации с использованием методов модального и симметричного
оптимума.
При функциональном проектировании автомат ...