Работы по исследованию искусственно созданных полупроводниковых сверхрешеток были инициированы идеей о создании одномерной периодической структуры чередующихся сверхтонких слоев, высказанной в 1969 г. Эсаки и Цу. Изготовление подобной кристаллической структуры из сверхтонких слоев представляло в то время необычайно сложную задачу[1]. Выбор метода изготовления наноструктур определяется требуемой точностью воспроизведения заданного химического состава и толщин слоев. Из опыта известно, что в обычном высоком вакууме 10-6 Торр атомарно чистая поверхность покрывается монослоем из адсорбированных молекул за несколько секунд. Поэтому для контроля процесса нанесения на уровне монослоев необходимы:
) сверхвысокий вакуум, то есть остаточное давление порядка 10-10 Торр;
) особо тщательная очистка подложек от окисных пленок;
) особо чистые исходные материалы;
) "измельчение" частиц в осаждаемом пучке до размера отдельных молекул;
) контроль за атомной структурой растущих наноструктур в реальном режиме времени.
Только метод молекулярно - лучевой эпитаксии (МЛЭ) удовлетворяет всем этим требованиям. Поэтому, несмотря на дороговизну, он широко применяется при изготовлении наноструктур[2].
Самое читаемое:
Разработка микроконтроллерного устройства стабилизации температуры
Эффективная организация контроля информации приобретает всё большее
практическое значение, прежде всего как условие успешной практической
деятельности людей. Объем информации, необходимой для нормального
функционирования современного общества, растёт из года в год. На сегодняшний
день складывается ситуация, в которой наряду с самой ...